PIN Photodetector дээр өндөр хүчин чадалтай цахиурын карбидын диодын нөлөө
Өндөр хүчин чадалтай цахиурын карбидын PIN диод нь эрчим хүчний төхөөрөмжийн судалгааны талбарт үргэлж халуун цэгүүдийн нэг байсаар ирсэн.PIN диод нь P+ муж ба n+ бүсийн хооронд үндсэн хагас дамжуулагч (эсвэл хольцын бага концентрацитай хагас дамжуулагч) давхаргыг хавчих замаар бүтээгдсэн болор диод юм.PIN-ийн i нь "дотоод" гэсэн утгатай англи товчлол бөгөөд цэвэр хагас дамжуулагч хольцгүй байх боломжгүй тул програмын PIN диодын I давхарга нь бага хэмжээний P-тэй холилдсон байдаг. -төрөл буюу N төрлийн хольц.Одоогийн байдлаар цахиурын карбидын PIN диод нь ихэвчлэн Меса бүтэц, хавтгай бүтцийг ашигладаг.
PIN диодын ажиллах давтамж 100 МГц-ээс хэтрэх үед цөөн тооны зөөвөрлөгчийн хадгалалтын нөлөө болон I давхаргад дамжин өнгөрөх хугацааны нөлөөгөөр диод нь залруулах нөлөөгөө алдаж, эсэргүүцлийн элемент болж, түүний эсэргүүцлийн утга нь хэвийсэн хүчдэлийн дагуу өөрчлөгддөг.Тэг хазайлт эсвэл тогтмол гүйдлийн урвуу хазайлттай үед I муж дахь эсэргүүцэл маш өндөр байна.DC урагш хэвийсэн үед I муж нь зөөгч тарилгын улмаас бага эсэргүүцэлтэй төлөвийг харуулдаг.Тиймээс PIN диодыг хувьсах эсэргүүцэл элемент болгон ашиглаж болно, богино долгионы болон RF-ийн хяналтын салбарт, энэ нь ихэвчлэн дохио шилжих хүрэхийн тулд шилжих төхөөрөмжүүдийг ашиглах шаардлагатай байдаг, ялангуяа зарим өндөр давтамжийн дохионы хяналтын төвүүдэд, PIN диод нь дээд зэргийн байна. RF-ийн дохионы хяналтын чадамж, гэхдээ фазын шилжилт, модуляц, хязгаарлах болон бусад хэлхээнд өргөн хэрэглэгддэг.
Өндөр хүчин чадалтай цахиурын карбидын диод нь хүчдэлийн эсэргүүцлийн шинж чанараараа эрчим хүчний салбарт өргөн хэрэглэгддэг бөгөөд голчлон өндөр чадлын Шулуутгагч хоолой болгон ашигладаг.PIN диод нь гол хүчдэлийн уналтыг дамжуулдаг дунд хэсэгт допингийн i давхарга бага байдаг тул VB урвуу чухал эвдрэлийн хүчдэл өндөртэй байдаг.I бүсийн зузааныг нэмэгдүүлж, I бүсийн допингийн концентрацийг бууруулснаар PIN диодын урвуу эвдрэлийн хүчдэлийг үр дүнтэй сайжруулж чадна, гэхдээ I бүс байгаа нь бүхэл бүтэн төхөөрөмжийн VF шууд хүчдэлийн уналт, төхөөрөмжийн шилжих хугацааг сайжруулна. тодорхой хэмжээгээр, цахиурын карбидын материалаар хийсэн диод нь эдгээр дутагдлыг нөхөж чадна.Цахиурын карбид нь цахиурын задралын цахилгаан талбараас 10 дахин их, ингэснээр цахиурын карбидын диодын I бүсийн зузааныг цахиур хоолойны аравны нэг хүртэл бууруулж, өндөр задралын хүчдэлийг хадгалахын зэрэгцээ цахиур карбидын материалын дулаан дамжуулалт сайн байх болно. , илэрхий дулаан ялгаруулах асуудал гарахгүй тул өндөр чадлын цахиурын карбидын диод нь орчин үеийн цахилгаан электроникийн салбарт маш чухал шулуутгагч төхөөрөмж болсон.
Цахиурын карбидын диодууд нь маш бага урвуу алдагдлын гүйдэл, зөөвөрлөгчийн өндөр хөдөлгөөнтэй тул фотоэлектрик илрүүлэх талбарт ихээхэн татагддаг.Бага хэмжээний алдагдал гүйдэл нь детекторын харанхуй гүйдлийг бууруулж, дуу чимээг бууруулдаг;Өндөр зөөвөрлөгчийн хөдөлгөөн нь цахиурын карбидын PIN илрүүлэгчийн (PIN Photodetector) мэдрэмжийг үр дүнтэй сайжруулж чадна.Цахиур карбидын диодын өндөр чадлын шинж чанар нь PIN детекторуудыг илүү хүчтэй гэрлийн эх үүсвэрийг илрүүлэх боломжийг олгодог бөгөөд сансрын салбарт өргөн хэрэглэгддэг.Өндөр хүчин чадалтай цахиурын карбидын диод нь маш сайн шинж чанартай тул анхаарал хандуулж, судалгааг нь маш сайн хөгжүүлсэн.
Шуудангийн цаг: 2023 оны 10-р сарын 13