OFC2024 фото илрүүлэгч

Өнөөдөр OFC2024-ийг харцгааяфотодетекторууд, үүнд GeSi PD/APD, InP SOA-PD, UTC-PD зэрэг багтана.

1. UCDAVIS нь сул резонансын 1315.5нм тэгш хэмтэй бус Fabry-Perot-ийг мэдэрдэг.фото илрүүлэгчмаш бага багтаамжтай, 0.08fF гэж тооцоолсон. Хязгаарлалт нь -1V (-2V) үед харанхуй гүйдэл 0.72 нА (3.40 нА), хариу урвалын хурд нь 0.93a /W (0.96a /W) байна. Ханасан оптик хүч нь 2 мВт (3 мВт). Энэ нь 38 GHz өндөр хурдны өгөгдлийн туршилтыг дэмжих боломжтой.
Дараах диаграмм нь AFP PD-ийн бүтцийг харуулсан бөгөөд энэ нь Ge-on- долгион хөтлүүрээс бүрддэг.Фото илрүүлэгчУрд талын SOI-Ge долгион хөтлүүртэй бөгөөд энэ нь > 90%-ийн горимд таарах холболтыг <10%-ийн тусгалтай болгодог. Ар тал нь >95% тусгалтай, тархсан Bragg цацруулагч (DBR) юм. Оновчтой хөндий дизайн (хоолойн үе шатанд таарах нөхцөл) дамжуулан AFP резонаторын тусгал, дамжуулалтыг арилгаж, Ge детекторыг бараг 100% шингээх боломжтой. Төв долгионы уртын нийт 20нм зурвасын өргөнд R+T <2% (-17 дБ). Ge-ийн өргөн нь 0.6µm, багтаамж нь 0.08fF гэж тооцоолсон.

2, Хуажун Шинжлэх Ухаан Технологийн Их Сургууль цахиур германий үйлдвэрлэсэннуранги фотодиод, зурвасын өргөн >67 GHz, ашиг >6.6. SACMAPD фото илрүүлэгчхөндлөн хоолойн уулзварын бүтцийг цахиурын оптик платформ дээр хийсэн. Өвөрмөц германий (i-Ge) болон дотоод цахиур (i-Si) нь гэрэл шингээх давхарга болон электрон давхарлах давхаргын үүрэг гүйцэтгэдэг. 14 микрон урттай i-Ge бүс нь 1550 нм-ийн гэрэлд хангалттай шингээлтийг баталгаажуулдаг. Жижиг i-Ge болон i-Si бүсүүд нь өндөр хэвийсэн хүчдэлийн дор фото гүйдлийн нягтыг нэмэгдүүлэх, зурвасын өргөнийг нэмэгдүүлэхэд тохиромжтой. APD нүдний зургийг -10.6 В-д хэмжсэн. -14 дБм-ийн оролтын оптик хүчээр 50 Гб/с ба 64 Гб/с OOK дохионы нүдний зураглалыг доор харуулав, хэмжсэн SNR нь 17.8 ба 13.2 дБ байна. , тус тус.

3. IHP 8 инчийн BiCMOS туршилтын шугамын байгууламжууд нь германийг харуулж байнаPD фото илрүүлэгч100 нм орчим сэрвээний өргөнтэй бөгөөд энэ нь хамгийн өндөр цахилгаан талбарыг үүсгэж, фото зөөвөрлөгчийн хамгийн богино хугацаатай. Ge PD нь 265 GHz@2V@ 1.0mA DC фото гүйдлийн OE зурвасын өргөнтэй. Процессын урсгалыг доор харуулав. Хамгийн том онцлог нь уламжлалт SI холимог ионы суулгацаас татгалзаж, германий ион суулгацын нөлөөллөөс зайлсхийхийн тулд өсөлтийн сийлбэрийн схемийг баталсан явдал юм. Харанхуй гүйдэл нь 100nA,R = 0.45A /W.
4, HHI нь SSC, MQW-SOA болон өндөр хурдны фотодетектороос бүрдсэн InP SOA-PD-г харуулж байна. O хамтлагийн хувьд. PD нь 1 дБ PDL-ээс бага үед 0.57 А/Вт хариу үйлдэл үзүүлдэг бол SOA-PD нь 1 дБ PDL-ээс бага үед 24 А/Вт хариу үйлдэл үзүүлдэг. Энэ хоёрын зурвасын өргөн нь ~60GHz бөгөөд 1 GHz-ийн зөрүү нь SOA-ийн резонансын давтамжтай холбоотой байж болно. Бодит нүдний зураг дээр хэв маягийн нөлөө ажиглагдаагүй. SOA-PD нь шаардлагатай оптик хүчийг 56 GBaud-д ойролцоогоор 13 дБ-ээр бууруулдаг.

5. ETH нь төрөл II сайжруулсан GaInAsSb/InP UTC-PD-г хэрэгжүүлдэг бөгөөд 60GHz@ тэг хэвийсэн зурвасын өргөнтэй, 100GHz-д -11 DBM-ийн өндөр гаралтын чадалтай. GaInAsSb-ийн сайжруулсан электрон тээвэрлэх чадварыг ашиглан өмнөх үр дүнгийн үргэлжлэл. Энэхүү баримт бичигт оновчтой шингээлтийн давхаргууд нь 100 нм-ийн их хэмжээний хольцтой GaInAsSb ба 20 нм-ийн нэмэлтгүй GaInAsSb-ийг багтаасан болно. NID давхарга нь ерөнхий хариу үйлдлийг сайжруулахад тусалдаг ба төхөөрөмжийн нийт багтаамжийг бууруулж, зурвасын өргөнийг сайжруулахад тусалдаг. 64µm2 UTC-PD нь 60 GHz-ийн тэг хэвийсэн зурвасын өргөнтэй, 100 GHz-д -11 дБм гаралтын чадалтай, 5.5 мА ханалтын гүйдэлтэй. 3 В-ийн урвуу хазайлттай үед зурвасын өргөн 110 GHz хүртэл нэмэгддэг.

6. Innolight нь германий цахиурын фотодетекторын давтамжийн хариу урвалын загварыг төхөөрөмжийн допинг, цахилгаан талбайн тархалт, фото үүсгэсэн зөөвөрлөгч дамжуулах хугацааг бүрэн харгалзан үзсэний үндсэн дээр бий болгосон. Олон тооны хэрэглээнд их хэмжээний оролтын хүч, өндөр зурвасын өргөн шаардлагатай байдаг тул том оптик тэжээлийн оролт нь зурвасын өргөнийг бууруулахад хүргэдэг тул бүтцийн дизайнаар германи дахь зөөвөрлөгчийн концентрацийг багасгах нь хамгийн сайн туршлага юм.

7, Цинхуа их сургууль нь гурван төрлийн UTC-PD, (1) 100GHz зурвасын өргөнтэй давхар дрифт давхарга (DDL) өндөр ханасан чадалтай UTC-PD, (2) UTC-PD өндөр хариу үйлдэл бүхий 100GHz зурвасын өргөн давхар дрифт давхарга (DCL) бүтэц зохион бүтээжээ. , (3) Өндөр ханасан чадалтай 230 GHZ зурвасын өргөн MUTC-PD. Өөр өөр хэрэглээний хувилбаруудын хувьд 200G эрин үе рүү ороход өндөр ханасан хүч, өндөр зурвасын өргөн, өндөр хариу үйлдэл зэрэг нь ирээдүйд хэрэг болно.